Was ist die GAN-Technologie für die Ladegeräte?

Einfach gesagt,ein kleiner Körper mit großer Leistung.

Ladegeräte aus Galliumnitrid (GaN) sorgten auf der International Consumer Electronics Show für großes Aufsehen, und diese moderne Siliziumalternative führt dazu, dass kleinere, effizientere Ladegeräte und Netzteile auf den Markt kommen.

GaN-Ladegeräte sind physikalisch kleiner als aktuelle Ladegeräte, da GaN-Ladegeräte nicht weniger Komponenten benötigen als Silizium-Ladegeräte. Dieses Material kann im Laufe der Zeit viel höhere Spannungen leiten als Silizium. GaN-Ladegeräte sind nicht nur effektiver bei der Stromübertragung, sondern sorgen auch dafür, dass weniger Energie durch Wärme verloren geht. Wenn daher Komponenten die Energie effizienter auf das Gerät übertragen, werden in der Regel weniger Komponenten benötigt. Aufgrund der weit verbreiteten Beliebtheit der Technologie wird der Bedarf an GaN-Netzteilen und -Ladegeräten erheblich reduziert. Es gibt noch weitere Vorteile, beispielsweise kann durch eine höhere Schaltfrequenz eine schnellere drahtlose Energieübertragung erreicht werden.

Galliumnitrid ist ein Halbleitermaterial, das in den 1990er Jahren durch die Herstellung von LEDs in den Fokus gerückt wurde. Mit GaN wurden die ersten weißen LEDs, blauen Laser und vollfarbigen LED-Displays hergestellt, die tagsüber sichtbar sind. In Blu-ray-DVD-Playern erzeugt GaN blaues Licht, das Daten von der DVD liest.

Es scheint, dass GaN bald Silizium in vielen Bereichen ersetzen wird. Siliziumhersteller arbeiten seit Jahrzehnten unermüdlich an der Verbesserung siliziumbasierter Transistoren. Nach dem Mooreschen Gesetz verdoppelt sich die Anzahl der Transistoren in integrierten Siliziumschaltungen etwa alle zwei Jahre. Diese Beobachtung wurde 1965 gemacht und ist seit 50 Jahren grundsätzlich richtig. Allerdings unterschritt die Entwicklung der Halbleitertechnologie im Jahr 2010 erstmals dieses Tempo. Viele Analysten (und Moore selbst) sagen voraus, dass Moores Gesetz bis 2025 veraltet sein wird.

Die Produktion von GaN-Transistoren ist im Jahr 2006 gestiegen. Der verbesserte Herstellungsprozess bedeutet, dass GaN-Transistoren mit den gleichen Anlagen wie Silizium hergestellt werden können. Dies kann die Kosten senken und mehr Siliziumhersteller dazu ermutigen, GaN zur Herstellung von Transistoren zu verwenden.