Entwicklungsgeschichte des Transistors

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Entwicklungsgeschichte des Transistors

Am 23. Dezember 1947 trafen in den Bell Labs in Murray Hill, New Jersey, drei Wissenschaftler – Dr. Bading, Dr. Brighton und Dr. Shawley experimentierten nervös und methodisch. Sie experimentieren damit, Schallsignale mit Halbleiterkristallen in Leiterkreisen zu verstärken. Drei Wissenschaftler waren überrascht, als sie herausfanden, dass eine kleine Strommenge, die durch das von ihnen erfundene Gerät fließt, einen viel größeren Stromfluss durch den anderen Teil steuern und so einen Verstärkungseffekt erzeugen kann. Dieses Gerät ist eine epochale Errungenschaft in der Geschichte der Wissenschaft und Technik – der Transistor. Da es an Heiligabend erfunden wurde und einen so großen Einfluss auf das zukünftige Leben der Menschen hat, wird es „ein Weihnachtsgeschenk an die Welt“ genannt. Die drei Wissenschaftler erhielten damit 1956 den Nobelpreis für Physik.

[2] Neue Forschungen haben ergeben, dass eine Schicht aus entsprechendem Material außerhalb des Substrats am Ausflussende des Transistorelektrons abgeschieden werden kann, um eine halbleitergekühlte PN-Struktur zu bilden, da das Elektronenenergieniveau des N-Materials niedrig ist und die Elektronenenergie niedrig ist Der Gehalt des P-Materials ist hoch. Beim Durchströmen ist es notwendig, dem Substrat Wärme zu entziehen, was eine gute Möglichkeit zur Wärmeableitung des Transistorkerns bietet. Da die abgeführte Wärme proportional zur Stärke des Stroms ist, spricht die Industrie auch von der „elektronischen Blut“-Kühltechnologie. Die neuen Kühltrioden heißen N-PNP oder NPN-P, je nach Polarität des neu hinzugefügten Materials.

Transistoren fördern und bewirken eine „Festkörperrevolution“, die wiederum die Halbleiterelektronikindustrie weltweit antreibt. Als wichtiger Bestandteil wurde es vor allem in Kommunikationsmitteln zeitnah und universell eingesetzt und hat enorme wirtschaftliche Vorteile gebracht. Da Transistoren die Struktur elektronischer Schaltkreise völlig verändert haben, sind integrierte Schaltkreise und großintegrierte Schaltkreise entstanden und die Herstellung hochpräziser Geräte wie elektronischer Hochgeschwindigkeitscomputer ist Realität geworden.