Die Miller-Plateauzeit beträgt nahezu Null (siehe Abbildung 3) und der gesamte Schaltverlust wird um mindestens 70 % reduziert.
Oct 19, 2022| Die Miller-Plateauzeit beträgt nahezu Null (siehe Abbildung 3) und der gesamte Schaltverlust wird um mindestens 70 % reduziert.
Wie in Tabelle 1 gezeigt, hat Galliumnitrid bei gleichem RDS(ON) eine geringere parasitäre Kapazität und Ciss und Crss betragen 1/12 bzw. 1/23 von Si CoolMOS, was zu einer schnelleren Schaltgeschwindigkeit führt. Im schnellen Brückenzweig BTPPFC verringert sich die Strom- und Spannungsüberlappungszeit um mehr als 88 % (siehe Abbildung 2). Die Miller-Plateauzeit beträgt nahezu Null (siehe Abbildung 3) und der gesamte Schaltverlust wird um mindestens 70 % reduziert.
Der Coss von InnoGaN ist kleiner und weist eine bessere Linearität auf (siehe Abbildung 4). Wenn Vds niedrig ist, ist der Coss von GaN viel kleiner als der von Si MOS, und Si unterliegt einem Steigungsmutationsprozess. Aus der Systemwellenform ist ersichtlich, dass der Schaltüberlappungsverlust von GaN weitaus geringer ist als der von Si MOS und der Dv/dt von GaN im t2-t3-Segment kleiner ist als der von Si MOS Auch das erzeugte EMI-Rauschen ist geringer.
