Statische Induktion

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Statische Induktion

Der statische Induktionstransistor (SIT) wurde 1970 geboren und ist eigentlich ein Sperrschicht-Feldeffekttransistor. Durch Ändern der seitlichen Leitstruktur des zur Informationsverarbeitung verwendeten SIT-Geräts mit geringer Leistung in eine vertikale Leitstruktur kann ein SIT-Gerät mit hoher Leistung hergestellt werden. SIT ist ein Multi-Substanz-Gerät mit einer Betriebsfrequenz, die mit der eines Leistungs-MOSFETs vergleichbar ist, sogar die eines Leistungs-MOSFETs übertrifft, und seine Leistungskapazität ist größer als die eines Leistungs-MOSFETs. Daher ist es für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen geeignet. Derzeit wird es bereits in Radarkommunikationsgeräten und Ultraschallgeräten eingesetzt. Einige Spezialgebiete wie Verstärkung, Impulsleistungsverstärkung und Hochfrequenz-Induktionserwärmung haben mehr Anwendungen gefunden. Der SIT wird jedoch eingeschaltet, wenn kein Signal an das Gate angelegt wird, und ausgeschaltet, wenn an das Gate eine negative Vorspannung angelegt wird. Dies wird als Gerät vom Typ „Normal-On“ bezeichnet und ist nicht bequem zu verwenden. Darüber hinaus hat SIT einen großen Durchlasswiderstand, wodurch der Durchlassverlust groß ist, sodass SIT in den meisten leistungselektronischen Geräten bisher nicht weit verbreitet ist.