Prozessvorbereitung einer bipolaren integrierten Schaltung
Nov 27, 2019| Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) ist ein High-Tech-Unternehmen, das sich auf die Produktion und den Verkauf von Telefonzubehör spezialisiert hat. Zu unseren Hauptprodukten gehören Reiseladegeräte, Autoladegeräte, USB-Kabel, Powerbanks und andere digitale Produkte. Alle Produkte sind sicher und zuverlässig, mit einzigartigen Stilen. Produkte bestehen Zertifikate wie CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick usw , Bei Interesse können Sie sich direkt an ceo@schitec.com wenden.
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Prozessvorbereitung einer bipolaren integrierten Schaltung
Die Abbildung zeigt den Prozessablauf bei der Vorbereitung eines bipolaren integrierten Schaltkreiswechselrichters mithilfe der PN-Übergangsisolationstechnologie.
Die Abbildung umfasst einen NPN-Transistor und einen Lastwiderstand R. Das Originalmaterial ist ein Silizium-Einkristallstab mit einem Durchmesser von 75-150 mm, dotiert mit P-Typ-Verunreinigungen und einem spezifischen Widerstand von ρ=10 Ohm · cm oder so. Der Prozessablauf ist: Zuerst schneiden, schleifen und polieren (ein Wafervorbereitungsprozess), um einen kreisförmigen Siliziumwafer mit einer Dicke von etwa 300 bis 500 Mikrometern als Substrat vorzubereiten, und dann epitaktisches Wachstum, Oxidation, Fotolithographie und Diffusion durchführen , Verdampfen, Druckbonden und mehrfache Waferreinigung sowie schließlich Oberflächenpassivierung und fertige Verpackung.
Die Herstellung eines bipolaren integrierten Schaltkreischips erfordert fünfmalige Oxidation, fünfmalige Fotolithographie auf einer dünnen Schicht aus Siliziumoxid (SiO2) und das Ätzen eines Musterfensters für die Diffusionsdotierung. Schließlich werden nach zwei Fotolithographien die Metall-Aluminium-Verbindungsverdrahtung und das Passivierungsfenster für das Druckbonden geätzt. Daher gibt es 7 Masken für den gesamten Satz bipolarer integrierter Schaltkreise. Auch wenn der Passivierungsprozess normalerweise weggelassen wird, sind 6 Fotolithographieschritte und 6 Masken erforderlich.