Leistungstransistor und Fototransistor

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Leistungstransistor und Fototransistor

Der Leistungstransistor wird vom englischen Giant Transistor wörtlich als Riesentransistor übersetzt. Es handelt sich um einen Bipolar Junction Transistor (BJT), der gegen hohe Spannungen und hohe Ströme beständig ist und daher manchmal auch als Power-BJT bezeichnet wird. Seine Eigenschaften sind: hohe Spannungsfestigkeit. Der Strom ist groß, die Schalteigenschaften sind gut, aber die Antriebsschaltung ist kompliziert und die Antriebsleistung ist groß; Das Funktionsprinzip des GTR und des gewöhnlichen Bipolartransistors ist dasselbe.

Fototransistor

Ein Fototransistor ist ein photovoltaisches Gerät, das aus einem Gerät mit drei Anschlüssen wie einem Bipolartransistor oder einem Feldeffekttransistor besteht. Licht wird im aktiven Bereich solcher Geräte absorbiert und erzeugt fotogenerierte Ladungsträger, die durch einen internen elektrischen Verstärkungsmechanismus eine Fotostromverstärkung bewirken. Der Fototransistor arbeitet an den drei Enden, sodass eine elektronische Steuerung oder elektrische Synchronisierung leicht möglich ist. Das für Fototransistoren verwendete Material ist normalerweise Galliumarsenid (GaAs), das hauptsächlich in bipolare Fototransistoren, Feldeffekt-Fototransistoren und verwandte Geräte unterteilt wird. Bipolare Fototransistoren haben typischerweise hohe Verstärkungen, sind aber nicht sehr schnell. Bei GaAs-GaAlAs kann der Verstärkungsfaktor größer als 1000 sein und die Reaktionszeit beträgt mehr als Nanosekunden. Es wird häufig in Fotodetektoren und bei der optischen Verstärkung verwendet. Der Feldeffekt-Fototransistor hat eine schnelle Reaktionsgeschwindigkeit (ca. 50 Pikosekunden), der Nachteil besteht jedoch darin, dass der lichtempfindliche Bereich klein ist und die Verstärkung gering ist (der Verstärkungsfaktor kann größer als 10 sein), was häufig als sehr hohe Geschwindigkeit verwendet wird Fotodetektor. Darüber hinaus gibt es viele andere planare optoelektronische Bauelemente, die sich durch hohe Geschwindigkeit (Reaktionszeit von mehreren zehn Pikosekunden) auszeichnen und für die Integration geeignet sind. Es wird erwartet, dass solche Geräte in der optoelektronischen Integration Anwendung finden.